高功率半導體激光器的研制是“八五”、“九五”國防科工委重點(diǎn)項目之一，也是國防十六項關(guān)鍵技術(shù)中光電技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)。在國內首次實(shí)現高功率InGaAs/GaAs量子阱激光器的運轉，1—3W的激光器件的工作壽命可達幾千～幾萬(wàn)小時(shí)。高功率半導體激光器在軍事上應用非常廣泛，主要用于制導、引信、夜視光源、激光雷達、引爆、測距、偵察和識別等等。除了軍用以外，主要用于醫療、加工、通訊、光盤(pán)、打印、顯示、計算機等，且每年以20%以上的速...

在有幾個(gè)縱模同時(shí)振蕩的激光器中，可觀(guān)察到在單模激光器中未曾見(jiàn)到的一些效應。由于至今還沒(méi)有提出一種“完善”處理多模激光器飽和效應的方法，因此一般情況下限于討論蘭姆的“三級”解，但即使在這種限制下，理論也是十分復雜的。通過(guò)對一個(gè)“三?！奔す馄鞯难芯?，可以確定氣體激光器多模振蕩的主要特點(diǎn)。在三模激光器中，場(chǎng)系由三個(gè)單色振蕩組成，它們的頻率分別等于或接近于諧振腔的三個(gè)共振頻率